12月2日，南大光电在投资者互动平台表示，扩产2,000吨/年三氟化氮进展顺利。关于“光刻胶缺陷检测仪是否是公司光刻胶得到客户验证量产绕不过的必要条件”的问询，南大光电回应，缺陷检测仪主要针对28nm以下工艺制造的光刻胶检测，目前公司ArF光刻胶聚焦28nm-90nm工艺验证，涉及的主要检测设备如光刻机已经正常投入使用。
12月2日，南大光电在投资者互动平台表示，扩产2,000吨/年三氟化氮进展顺利。
关于“光刻胶缺陷检测仪是否是公司光刻胶得到客户验证量产绕不过的必要条件”的问询，南大光电回应，缺陷检测仪主要针对28nm以下工艺制造的光刻胶检测，目前公司ArF光刻胶聚焦28nm-90nm工艺验证，涉及的主要检测设备如光刻机已经正常投入使用。
此前，南大光电在接受机构调研时表示，公司ArF光刻胶产品分别通过一家存储芯片制造企业和一家逻辑芯片制造企业的验证，目前多款产品正在多家客户同时进行认证。
另外，关于年产45吨半导体先进制程用前驱体产品市场前景，南大光电称，本次募投的年产45吨半导体先进制程用前驱体产品产业化项目预计建设期为1年，生产期14年，静态投资回收期为4.09年，市场前景良好。
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