消息称三星正在开发新一代“缓存DRAM”技术：较HBM能效提升60% 数据移动延迟降低50%

据韩媒报道，三星电子先进封装（AVP）事业组正着手新一代DRAM技术「Cache DRAM」，目标2025年开始量产。据悉，该项技术与既有HBM相比，Cache DRAM功耗效率将改善60%，数据移动延迟将减少50%。

在封装技术上，Cache DRAM与HBM也有较大区别，HBM目前是水平连接至GPU，但Cache DRAM将垂直连接于GPU。消息称Cache DRAM仅需一个芯片就能存储一个HBM的数据量。

值得观察的是，三星为发展先进封装技术，不仅一年内投资超过2兆韩元（约合15亿美元）增设封装产线，2023年也新设AVP事业组，加速追赶台积电等竞争对手。

相关人士认为，随着实现先进制程愈来愈困难，3D封装将成为半导体业者竞争力关键，而三星若要2030年实现系统半导体第一目标，势必得投资封装技术。